生命周期: | Active | 包装说明: | DO-4, 1 PIN |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.65 |
最小击穿电压: | 800 V | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.26 V |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值正向电流: | 280 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向电流: | 12000 µA |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
12F-80 | TRSYS |
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STANDARD RECOVERY DIODE | |
12F80B | INFINEON |
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6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes | |
12F80M | INFINEON |
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STANDARD RECOVERY DIODES | |
12F80M | VISHAY |
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Standard Recovery Diodes (Stud Version), 12 A | |
12F80M | NJSEMI |
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Diode Switching 800V 16A 2-Pin DO-4 | |
12F80MPBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
12F80MS02 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
12F80MS02PBF | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
12F80MS02PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
12F80MS05 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |