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12F60B

更新时间: 2024-01-24 22:57:01
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
8页 336K
描述
6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes

12F60B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:DO-4, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.5应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:280 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC50009-037最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

12F60B 数据手册

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