Datasheet > 1214-370M

1214-370M

更新时间： 2024-01-25 02:14:25

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		雷达
页数	文件大小	规格书
4页	121K
描述
370 Watts - 50 Volts, 330 ms, 10% Radar 1200 - 1400 MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1214-370M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	460 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1214-370M 数据手册

1214-370MR4

1214 – 370M

370 Watts - 50 Volts, 330 ms, 10%

Radar 1200 - 1400 MHz

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

The 1214-370M is an internally matched, COMMON BASE transistor

capable of providing 370 Watts of pulsed RF output power at 330

microseconds pulse width, ten percent duty factor across the band 1200 to

1400 MHz. This hermetically solder-sealed transistor is specifically designed

for L-Band radar applications. It utilizes gold metallization and diffused

emitter ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.

55ST, STYLE 1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maximum Power Dissipation @ 25^oC¹

600 Watts

Maximum Voltage and Current

BVces

BVebo

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

75 Volts

3.0 Volts

25 Amps

Maximum Temperatures

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to + 200^oC

+ 200^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 ^OC

SYMBOL

CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX UNITS

Pout

Power Out (Note 2) Pulsed

F = 1200-1400 MHz

Vcc = 50 Volts,

370

460

Watts

Power Gain

Pulse Width = 330 ms

Duty = 10 %

As above

8.7

9.0

Collector Efficiency

Pulse Amplitude Droop

Load Mismatch Tolerance

0.5

2:1

VSWR¹

F = 1400MHz, Po =370W

** Design Target

Bvces

Ices

Iebo

Hfe

qjc¹

Collector to Emitter Breakdown

Collector to Emitter Leakage

Emitter to Base Leakage Current

DC Current Gain

Ic = 40 mA

Vce = 50 Volts

Veb = 3.0 Volts

Vce = 5 V, Ic = 5 A

Rated Pulse Condition

Volts

Thermal Resistance

0.29

^oC/W

Issue April 2005

Note 1: Pulse width = 330 us, duty = 10%

Note 2: Power Input = 50 Watts Peak Pulsed

APT-RF, Inc. reserves the right to make changes without further notice. APT-RF recommends that before the product(s) described herein are written into

specifications, or used in critical applications, that the performance characteristics be verified by contacting the factory.

APT-RF, Inc. 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051-0808 TEL. 408-986-8031 FAX 408-869-2324

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与1214-370M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1214-370V	MICROSEMI	获取价格	370 Watts - 50 Volts, 330 μs, 10% Radar 1200
121-43-964-41-001000	MILL-MAX	获取价格	IC Socket, DIP64, 64 Contact(s), ROHS COMPLIANT
1214-49	MOLEX	获取价格	Barrier Strip Terminal Block, 15A, 1 Row(s), 1 Deck(s)
121454-0076	ITT	获取价格	MIL Series Connector
121454-0077	ITT	获取价格	MIL Series Connector
121454-0078	ITT	获取价格	MIL Series Connector
121454-0079	ITT	获取价格	MIL Series Connector
1214-55	GHZTECH	获取价格	55 Watts - 28 Volts, Pulsed Radar 1200 - 1400 MHz
1214-550P	MICROSEMI	获取价格	550 Watts - 300Î¼s, 10%, 42V L-Band Pulsed Ra
121457-0052	ITT	获取价格	MIL Series Connector

与1214-370M相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

9
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

9
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

11
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1214-370M

1214-370M 技术参数

1214-370M 数据手册

与1214-370M相关器件

与1214-370M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1214-370M

1214-370M 技术参数

1214-370M 数据手册

与1214-370M相关器件

与1214-370M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？