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11RC100

更新时间: 2024-01-19 05:26:03
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NIEC 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 77K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 1000V V(DRM)

11RC100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N标称电路换相断开时间:25 µs
关态电压最小值的临界上升速率:20 V/us最大直流栅极触发电流:40 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:20 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-D2最大漏电流:1.5 mA
通态非重复峰值电流:125 A端子数量:2
最大通态电流:16000 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified断态重复峰值电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

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