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10ETF02S

更新时间： 2024-11-11 20:10:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, HALOGEN FREE, SMD-220, D2PAK-3

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10ETF02S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.31其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.145 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

10ETF02S 数据手册

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10ETF..S Soft Recovery Series  
Vishay High Power Products  
Fast Soft Recovery  
Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES/DESCRIPTION  
Base  
common  
cathode  
+
The 10ETF..S fast soft recovery rectifier series has been  
optimized for combined short reverse recovery time and low  
forward voltage drop.  
2
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
This product series has been designed and qualified for  
industrial level.  
1
3
D2PAK (SMD-220)  
-
-
Anode  
Anode  
APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
• Output rectification and freewheeling in inverters,  
choppers and converters  
VRRM  
VF at 10 A  
trr  
200 to 600 V  
< 1.2 V  
• Input rectifications where severe restrictions on conducted  
EMI should be met  
50 ns  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
trr  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
200 to 600  
10  
UNITS  
V
Sinusoidal waveform  
A
150  
1 A, 100 A/µs  
10 A, TJ = 25 °C  
Range  
50  
ns  
V
VF  
1.2  
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
V
RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
10ETF02S  
10ETF04S  
10ETF06S  
200  
400  
600  
300  
500  
700  
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 128 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
VALUES  
10  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
150  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
160  
112.5  
160  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
1125  
A2√s  
Document Number: 93134  
Revision: 22-Oct-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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10ETF02S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYW29ED-200 WEEN

功能相似

 Ultrafast power diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable package.
MURB1610CT GOOD-ARK

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT,

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