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10ERA40

更新时间： 2024-02-16 21:46:59

品牌	Logo	应用领域
NIEC		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	39K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon

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10ERA40 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	0.08 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

10ERA40 数据手册

FRD Type :10ERA40

FEATURES

OUTLINE DRAWING

* Miniature Size

* Super Fast Recovery

* Low Power Loss, High Efficiency

* High Surge Capability

* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing

Maximum Ratings

Approx Net Weight:0.17g

Symbol

V_RRM

10ERA40

400

Unit

Rating

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Rectified

Output Current

1.0 Tl=118°C

0.96 Ta=26°C *1

Half Sine Wave

Resistive Load

I_O

P.C.Board mounted

RMS Forward Current

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

I_F(RMS)

I_FSM

T_jw

1.57

°C

30 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive

- 40 to + 150

T_stg

- 40 to + 150

Electrical • Thermal Characteristics

Symbol

Conditions

Tj=25°C, V_RM= V_RRM

Tj=25°C, I_FM= 1 A

Min Typ Max

Unit

Characteristics

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Reverse Recovery Time

I_RM

V_FM

trr

1.30

µA

I_FM= 1 A, -di/dt= 50 A/µs, Ta=25°C

Rth(j-l) Junction to Lead

Rth(j-a) Junction to Ambient *1

°C/W

Thermal Resistance

100 °C/W

*1: Glass Epoxy Substrate Mounted (Soldering Lands=2x2mm,Both Sides)

Tl=Lead Temperature

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
10ERA60	NIEC	FRD	获取价格
10ERA60_15	NI	FRED	获取价格
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10ERB10	NIEC	FRD - 1A 100V 60ns	获取价格
10ERB10_15	NI	FRED	获取价格
10ERB10_2015	NI	FRED	获取价格