5秒后页面跳转
10DF2TR PDF预览

10DF2TR

更新时间: 2024-01-30 09:18:23
品牌 Logo 应用领域
NIEC /
页数 文件大小 规格书
2页 47K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

10DF2TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MINIATURE PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

10DF2TR 数据手册

 浏览型号10DF2TR的Datasheet PDF文件第2页 

与10DF2TR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
10DF4 NIEC LOW FORWARD VOLTAGE DROP

获取价格

10DF4 NJSEMI Rectifiers Ultra-Fast Recovery

获取价格

10DF4-T/R FRONTIER Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

获取价格

10DF4TA2B5 NIEC Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon

获取价格

10DF4TR NIEC 暂无描述

获取价格

10DF6 NJSEMI Ultra-Fast Recovery

获取价格