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10A6

更新时间： 2024-02-12 09:50:06

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SSC		二极管
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2页	265K
描述
10A Axial Silicon Rectifier

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10A6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.63	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

10A6 数据手册

10A01 - 10A10

10A Axial Silicon Rectifier

PRODUCT SUMMARY

Voltage range 50 to 1000 Volts

Axial package

P600

Rated 10.0 Amps at T_A=50°C

FEATURES

Low forward voltage drop

Low reverse leakage current

High current capability

High surge-current capability

MECHANICAL DATA

Case: molded plastic

Epoxy: UL 94V-O rated flame retardant

Lead: axial leads, matte-Sn plated, solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

Polarity: color band denotes cathode end

High temperature soldering guaranteed:

260^oC for 10 seconds with 0.375” (9.5mm)

lead lengths

Dimensions in inches and (millimeters)

Weight: 2.1 grams

Pb-free, RoHS compliant.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol

10A

Parameter

Units

10A1 10A2 10A4 10A6 10A8

Maximum recurrent peak reverse voltage

50 100 200 400 600 800 1000

35 70 140 280 420 560 700

50 100 200 400 600 800 1000

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

with 0.375" (9.5mm) lead lengths

at TA = 50°C

I_(AV)

10.0

Peak forward surge current, 8.3 ms single

half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method )

I_FSM

600

1.0

Maximum instantaneous forward voltage

at 10.0A

V_F

I_R

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

at T_J=25°C

at T_J=100°C

100

150

°C/W

°C

Typical junction capacitance

(Note 1)

Rθ _JA

T_J

Typical thermal resistance (Note 2)

Operating temperature range

Storage temperature range

-65 to +125

-65 to +150

T_STG

°C

Notes: 1. Measured at 1 MHz with applied reverse voltage of 4.0 V D.C.

2. Thermal resistance from junction to ambient

9/1/2006 Rev.4.01

www.SiliconStandard.com

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