1011LD110

更新时间： 2024-11-18 02:54:43

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ADPOW		晶体射频场效应晶体管脉冲电子放大器航空局域网
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110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET

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1011LD110 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	75 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

1011LD110 数据手册

1011LD110

110 Watts, 32 Volts

Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz

LDMOS FET

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55QZ-1

The 1011LD110 is a COMMON SOURCE N-Channel enhancement mode

lateral MOSFET capable of providing 110 W_pkof RF power from 1030 to 1090

MHz. The device is nitride passivated and utilizes gold metallization to ensure

highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for

broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction

temperature, extends life.

(Common Source)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Power Dissipation

Device Dissipation @25°C (P_d)

300 W

Voltage and Current

Drain-Source (V_DSS

)

75V

± 20V

Gate-Source (V_GS)

Temperatures

Storage Temperature

-65 to +150°C

+200°C

Operating Junction Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C

SYMBOL CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

V_gs= 0V, I_d= 10mA

Drain-Source Leakage Current V_ds= 32V, V_gs= 0V

MIN TYP MAX UNITS

BV_dss

I_dss

Drain-Source Breakdown

µA

I_gss

Gate-Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On Voltage

Forward Transconductance

Thermal Resistance

V_gs= 10V, V_ds= 0V

V_ds= 10V, I_d= 20 mA

V_gs= 10V, I_d= 1A

V_ds= 10V, I_d= 1A

V_gs(th)

V_ds(on)

g_FS

0.3

ºC/W

θ_JC

0.6°

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C, Vds = 32V, I_dq= 250mA

G_PS

η_d

Common Source Power Gain

Pulse Droop

Drain Efficiency

Pulse width = 32 µs, LTDC=2%

F=1030/1090 MHz, P_out= 110W

F = 1030 MHz, P_out= 110W

F = 1090 MHz, P_out= 110W

0.5

3:1

Load Mismatch

NOTES: 1. At rated output power and pulse conditions

2. Pulse Format 1: 32µs, 2% Long Term Duty Factor

Rev. B - Apr 2004

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information

contained herein. Visit our web site at www.advancedpower.com or contact our factory direct.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1011LD110A	MICROSEMI	获取价格	110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET
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