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1.5KE550A

更新时间： 2024-02-18 06:34:11

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TYSEMI		二极管脉冲局域网
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3页	421K
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1500W Peak Pulse Power Dissipation Constructed with Glass Passivated Die

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1.5KE550A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.38
最大击穿电压：	605 V	最小击穿电压：	495 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
最大重复峰值反向电压：	446.6 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL

1.5KE550A 数据手册

Product specification

1.5KE6V8(C)A - 1.5KE550(C)A

DO-201AE

■ Features

.210(5.3)

.188(4.8)

●

1500W Peak Pulse Power Dissipation

Voltage Range 6.8V - 550V

DIA.

1.0(25.4)

MIN.

Constructed with Glass Passivated Die

Uni- and Bidirectional Versions Available

Excellent Clamping Capability

Fast Response Time

.375(9.5)

.285(7.2)

1.0(25.4)

MIN.

.042(1.1)

.037(0.9)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Rating

Unit

PPM

Peak Power Dissipation, tp = 1.0 ms

1500

℃

Steady State Power Dissipation at TL = 75 Lead Lengths 9.5

6.5

mm (Mounted on Copper Land Area of 20m²)

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine Wave,

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

IFSM

200

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 100A for

Unidirectional only

3.5/5.0

℃

UJL

Typical Thermal Resistance Junction to Lead

℃

RUJA

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

TJ.TSTG

-55 to +175

℃

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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