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1.5KCD100C

更新时间: 2024-11-01 23:15:11
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管蜂窝
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2页 129K
描述
CELLULAR DIE PACKAGE

1.5KCD100C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIE包装说明:O-MEDB-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最大击穿电压:110 V最小击穿电压:90 V
击穿电压标称值:90 V最大钳位电压:144 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MEDB-N2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:81 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1.5KCD100C 数据手册

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