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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-65 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-208AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 80 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 050R06G0F | MICROSEMI | Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R06GOF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R06GOFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 050R08G0F | MICROSEMI | Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R08GOF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R08GOFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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