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05012G0F

更新时间: 2024-11-16 07:11:19
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
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3页 161K
描述
Silicon Controlled Rectifier

05012G0F 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-65
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.69Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-208ACJESD-30 代码:O-MUPM-D2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:80 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

05012G0F 数据手册

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