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02CZ6.8-Y(TE85R)

更新时间: 2024-01-24 16:17:33
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东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 199K
描述
Zener Diode, 2.5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

02CZ6.8-Y(TE85R) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8其他特性:CAPACITANCE IS CAPTURED FROM THE GRAPH
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:150 Ω
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.5 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2.5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

02CZ6.8-Y(TE85R) 数据手册

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